工学府応用化学専攻博士後期課程１年の角田チュクダール健太郎さんが第18回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会「発表奨励賞」を受賞
2026年5月27日
工学府応用化学専攻博士後期課程１年の角田チュクダール健太郎さんが、2026年5月22日に第18回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会「発表奨励賞」を受賞しました。
■受賞名
「第18回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会 発表奨励賞」
■受賞者
角田 チュクダール健太郎（かくた ちゅくだーるけんたろう）さん
工学府応用化学専攻博士後期課程１年
拓殖大学第一高等学校2019年度卒業
指導教員：工学研究院 応用化学部門 熊谷 義直 教授
■受賞概要
●テーマ： β-Ga2O3(010)基板上HVPEホモエピタキシャル成長における基板のガスエッチングの効果
●内 容： ベータ酸化ガリウム(β-Ga2O3)は省エネルギー化に貢献するパワー半導体材料です。高耐圧素子の実現には、基板表面付近の潜傷除去によるβ-Ga2O3成長層の結晶性向上が必須です。今回、成長前のin situエッチングを検討し、数nmの基板表面エッチングが成長層の結晶性向上に有用なことを示しました。
●受賞日：2026年5月22日
●参加学会等：第18回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
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