工学府応用化学専攻2年の角田健太郎さんが第54回結晶成⾧国内会議（JCCG-54）「日本結晶成⾧学会講演奨励賞」を受賞
2026年3月11日
工学府応用化学専攻2年の角田健太郎さんが、2025年12月8日に第54回結晶成⾧国内会議（JCCG-54）「日本結晶成⾧学会講演奨励賞」を受賞しました。
■受賞名
「日本結晶成⾧学会講演奨励賞」
■受賞者
角田 健太郎（かくた けんたろう）さん
工学府・博士前期課程 応用化学専攻2年
拓殖大学第一高等学校2019年度卒業
指導教員：工学研究院 応用化学部門 熊谷 義直 教授
■受賞概要
●テーマ：「NH3をドーパント源としたNドープβ-Ga2O3(010)ホモエピタキシャル層のHVPE成長」
●内 容：ベータ酸化ガリウム(β-Ga2O3)は省エネルギー化に貢献するパワー半導体材料であり、ノーマリーオフデバイスの実現が必須となります。今回半絶縁層や反転チャネル層の作製に向けて気相成長中に不純物としてアクセプターの窒素(N)を供給し、N濃度の制御性とN濃度がβ-Ga2O3結晶の品質に与える影響を調査しました。
●受賞日：2025年12月8日
●参加学会等：第54回結晶成⾧国内会議（JCCG-54）
https://www.jacg.jp/jp/award/best-presentation.html （受賞ページ）
https://www.jacg.jp/jp/event/2025/jccg-54/ （学会ページ）
