2011年度

佐藤　芳彦	「酸化物/金属/SiC型不揮発性メモリの素子化技術」
玉生　啓	「SiGe系HEMTの素子化技術」
長谷部　尚志	「極薄Siウェハを用いたSi系太陽電池の試作」
山田　有季乃	「4H-SiC基板を用いた不揮発性メモリの素子化」
渡邉　嵩也	「GSMBE法を用いたSi/SiGe系非対称2重量子井戸n-RTDの素子化技術」

2010年度

伊賀　宏一朗	「MBE法を用いたSi/SiGe系p-RTDの素子化技術」
大塚　英玄	「スパッタエピタキシー法を用いたSiGe系DCFETの素子化技術」
小松　辰実	「SiC MISメモリの一段酸化製造プロセスに関する研究」
土橋　悠人	「スパッタ膜を用いたSi系太陽電池の素子化」
山口　伸雄	「浮遊金属の酸化による不揮発性SiCメモリの素子化」

2009年度

新田　春樹	「電子トンネル型Si/SiGe系RTDの素子化技術」
根元　亮祐	「スパッタを用いたSi系太陽電池の試作」
野中　直哉	「スパッタエピタキシー法を用いたSiGe薄膜の緩和特性」
吉川　満大	「スパッタエピタキシー法を用いたSiGe系p-DCFETの試作」

2008年度

岩崎　慶士	「スパッタSiC膜を用いたMISメモリの試作に関する研究」
金澤　学	「スパッタを用いたp-RTD作製技術と基礎特性」
野村　彬成	「浮遊電極を用いた不揮発性メモリ」
福岡　慎平	「Geドットを用いた単電子デバイスの基礎特性 」
渡辺　直希	「スパッタSiGe薄膜の電気的特性と太陽電池への応用」

2007年度

大窪　隆文	「ガスソースMBE法によるn-RTDの素子化技術」
大橋　弘幸	「スパッタエピタキシー法を用いたGeドット位置制御技術」
河村　隼也	「スパッタエピタキシー法によるSiGe RTDの作製 」
功刀　弘太	「スパッタエピタキシー法によるSiGe FET素子の作製 」
山口　祐一郎	「SiC MIS抵抗変化型メモリの特性制御技術に関する研究」

2006年度

伊藤　優	「光単電子デバイスのシミュレーション解析」
今野　桂太	「スパッタエピタキシー法によるSiGe2DFET素子化技術と基礎特性」
南部　紗希	「SiGe系p-RTD素子化技術」
長谷川　宏己	「SiO2/SiC/Si　抵抗酸化型メモリの技術と基礎特性」
平田　　誠	「SiGe 系量子ドットアレイに関する研究」

2005年度

上野　千尋	「SiGe 歪緩和バッファ形成技術に関する研究」
佐藤　智之	「縦型単電子トランジスタシミュレーション」
杉山　繭子	「縦型単電子トランジスタの試作」
長島　聡明	「SiO2/SiC メモリ素子技術に関する研究」
西山　彩	「SiGe 系量子ドットの形成特性に関する研究」
花房　宏明	「スパッタエピタキシー法によるSiGe RTD 形成技術」

2004年度

小林　忠正	「単電子要素論理回路に関する研究」
佐野　嘉洋	「SiGe系RTD素子化技術に関する研究」
高橋　陽一	「Geドット位置制御技術に関する研究」
橋本　篤	「スパッタエピタキシー法によるSiGeデバイス」
三觜　盛生	「単電子デバイスの評価と作製技術に関する研究」

2003年度

北村　　心	「マグネトロンスパッタ法によるSiGeエピタキシー技術」
庄司　正嗣	「SiGe系共鳴トンネルダイオードのバッファ層形成技術」
芳澤　太一	「マイグレーション機構を用いたGeドットの作製法に関する研究」

2002年度

大内　　真	「単電子回路の動特性に関する研究」
北山　大祐	「TMAHを用いたSiのエッチング特性」
小泉　隼人	「単電子回路シミュレーターの開発」
関口　正啓	「エレクトロプレーティングSTMシステムによる金属細線形成技術」
松田　浩明	「イオン照射による多孔質シリコンの表面パッシベーションと発光特性」

2001年度

上田　　功	「単電子インバーターを用いた要素論理回路」
前川　裕隆	「SiGe系量子井戸トンネルダイオードの素子化技術」
岩瀬　寛和	「単電子デバイスの作製技術に関する研究」
増本　宏子	「エレクトロプレーティング法を用いたSTM金属細線形成技術」

2000年度

佐藤　　良	「単電子デバイスの作成法に関する研究」
中村　保之	「多孔質Siの表面パッシベーションと発光特性」
目黒　明彦	「SiGe歪緩和層の形成法に関する研究」
広橋 健太郎	「単電子多値加算回路の基礎特性」
替地　修也	「SiGe系量子井戸構造と発光特性制御」

1999年度

小林 美穂子	「SinHm/Si(001)系の表面反応機構のMD法による動的解析」
塩谷　典子	「単電子インバータ回路とその応用に関する研究」
細谷　直之	「熱分解Si2H6を用いたALE機構の水素熱脱離法による解析」
下温　湯真	「多孔質β-SiCの電界発光」
田中　秀明	「STM金属細線描画システムに関する研究」

1998年度

青木　正江	「Siの原子スケール制御エピタキシーに関するMD法による解析」
篠原　智幸	「単電子デバイスの接合構造とクーロン・ブロッケード特性」
福本　允己	「β-SiCを用いたMISメモリ」
宮川　恵介	「Si/SiGeトンネルダイオードの構造評価とトンネル特性」

1997年度

出来　千秋	「MD法を用いたSiのマイグレーション機構の解析」
平井　　勝	「FIB加工を用いた微細半導体デバイスの試作」
伊達　　崇	「SiGe系量子井戸のフォトルミネッセンス特性と電界効果」
白鳥　大樹	「クラック法を用いたSi/Geの原子層エピタキシー」
松本　　響	「β-SiC MISダイオードの発光特性と電気的特性」
金川　雄志	「多孔質シリコンの酸素・窒素終端と発光特性」

1996年度

小山　　啓	「Si/Ge量子井戸構造のトンネル特性」
高田　和良	「β-SiCのMISダイオードの発光特性」
西島　英紀	「多孔質β-SiCの発光特性」
深沢　太郎	「IV族半導体のマイグレーション機構のMDシミュレーションによる解析」
布留川　秀暁	「走査型トンネル顕微鏡によるトンネル発光」

1995年度

尾立　勝哉	「IV族半導体の原子スケール制御エピタキシー技術」
加々美　亜矢	「多孔質シリコンの表面酸化と発光特性」
川崎　　牧	「化学エッチングした多孔質シリコンのルミネッセンス特性」
中村　洋士	「MD法を用いたSi1-xCx半導体の成長機構の解析」
三里　康宏	「Si/Ge超格子の超格子構造とルミネッセンス特性」
三原　麗子	「MD法を用いたSi/Ge系半導体の成長機構の解析」

1994年度

永田　義雄	「Siのサブ原子層エピタキシー」
関　　浩子	「Si/Ge系半導体のエピタキシャル成長機構」
小野　　淳	「BN 化合物半導体のカソードルミネッセンス」
手塚　智明	「多孔質Siの表面構造と発光特性」
伊藤　政秀	「化学エッチング法を用いた多孔質Siの発光特性制御」
小幡　功史	「多孔質Siの酸素終端と発光特性」
森山　聖子	「発光X線分光法による超伝導発現機構に関する研究」
井上　英明	「半導体の結晶成長に関する分子動力学シミュレーション」
鄭　　美真	「長周期変動を補正した走査型トンネル顕微鏡」

1993年度

池田　浩昭	「表面励起反応を用いたIV族半導体の結晶成長機構に関する研究」
斉藤　典子	「イオン注入によるｃ-BNの電気的および光学的特性制御」
高橋　正愼	「バナジウム系酸化物の金属-絶縁体相転移に関する研究」
橋本　介臣	「走査型トンネル顕微鏡による多孔質Si表面の観察」
幅　　真悟	「化学エッチングした多孔質Siの発光特性」
山下　三富	「Si2H6を用いたSiのサブ原子層エピタキシ」

1992年度

Ariyanto Nugroho	「Si/Geヘテロエピタキシー成長機構の分子動力学的シミュレーション」
石田　雅裕	「Si2H6を用いたSiの初期成長反応に関する研究」
伊藤　直成	「RFスパッタ法によるBN薄膜の作成」
小泉　友弘	「多孔質Siの表面修飾と発光特性」
佐竹　恭典	「バナジウム系酸化物の光物性」
早坂　健一	「イオン注入による化合物半導体の電気的および光学的特性制御」
大和　哲也	「自動表面接近型超高真空用STMの開発」

1991年度

阿川　　智	「cBN単結晶の電極形成法と半導体特性」
笠置　泰男	「Si2H6を用いたSiの原子層エピタキシー法の検討」
近藤　信幸	「超高真空用走査型トンネル顕微鏡の開発」
高橋　英行	「Siのエピタキシャル成長過程の分子動力学シミュレーション」
馬庭　賢二	「非晶質Siの結晶化過程の分子動力学シミュレーション」
山中　　淳	「V2O3の結晶作成と光物性」