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大学院学位論文一覧
（M:博士前期課程、 D:博士後期課程）


2009年度
M　有光　昇一 「MBE法を用いたSi/SiGe p-RTDの素子化技術」
M　大窪　隆文　「MBE法を用いた平面型Si/SiGe n-RTD素子化技術」
M　大橋　弘幸「スパッタエピタキシー法を用いたGe低次元構造アレイ化技術に関する研究」
M　河村　隼也「スパッタエピタキシー法によるSiGe系RTDの試作」
M　功刀　弘太「スパッタエピタキシー法によるSiGe系DCFETの試作」
M　山口　祐一郎「SiC MISメモリの製造プロセスの低温化に関する研究」


2008年度
M　伊藤　優 「光単電子デバイスとシミュレーションによる動作特性」
M　今野　桂太　「スパッタエピタキシー法によるSiGe 2D-FET素子化技術」
M　南部　紗希「SiGe系p-RTDの作製技術と基礎特性」
M　長谷川　宏巳「SiO2/SiOx/SiC/Si ReRAMの素子化技術」


2007年度
M　花房　宏明「スパッタエピタキシー法とSiGe低次元デバイスへの応用」


2006年度
D　前川　裕隆「SiGe系電子トンネル型共鳴トンネルデバイスの素子化技術」
M　小林　忠正 「SiGeスパッタエピタキシー技術とFET系デバイスへの応用」
M　佐野　嘉洋　「SiGe 系2 重量子井戸p-RTD の作製」
M　高橋　陽一「スパッタエピタキシー法を用いたGeドット位置制御技術」
M　三觜　盛生「縦型単電子デバイスの作成技術及びシミュレーションによる動作解析」

2005年度
M　小泉　隼人「量子ドットを用いた単電子デバイスのシミュレーション解析」
M　庄司　正嗣「βーSiC　MIS　ダイオードメモリ素子」

2004年度
M　北山　大祐「Ge量子効果ドットデバイスに関する研究」
M　窪田　純一「SiGeスパッタエピタキシー技術とデバイスへの応用」

2003年度
M　岩瀬 寛和「単電子トランジスタの設計と作製技術」
M　前川 裕隆「SiGe QWRTDの歪緩和層の作製技術」

2002年度
M　中村 保之「窒素水素混合イオン照射による多孔質シリコンの発光特性制御」
M　目黒 明彦「SiGe系量子井戸トンネルダイオードの要素技術」
M　替地 修也「SiGe系低次元量子構造の作製法に関する研究」

2001年度
M　飯牟礼 享助「単電子4値回路と動特性」
M　細谷 直之「Siの熱分解型ALE法の成長機構と成長制御」
M　田中 秀明「STM金属細線描画システムと描画特性」

2000年度
M　山口 哲「SiGe系量子井戸トンネルダイオードに関する研究」

1999年度
D　山村耕一郎「単電子回路システムに関する研究」（６月短縮修了）
M　伊達 崇「SiGe系量子井戸構造のエレクトロルミネッセンス特性」
M　白鳥 大樹「熱分解水素化分子を用いたSi/Geの原子層エピタキシー」
M　金川 雄志「多孔質シリコンのパッシベーションによる発光制御」
M　遠藤 聡「多孔質β-SiCの発光特性制御と電界発光」

1998年度
M　小山 啓「Si/Ge系量子井戸構造トンネルデバイス」
M　高田　和良「β-SiC MISダイオードのメモリ特性と発光特性」
M　西島　英紀「多孔質β-SiCの発光特性と電子構造」
M　布留川秀暁「半導体材料のSTMトポグラフとトンネル発光」

1997年度
M　三里　康宏「クラック法を用いたⅣ族半導体の原子層エピタキシー」
M　熊谷　文香「多孔質シリコンの発光特性に及ぼす酸素・窒素プラズマ照射の効果」

1996年度
M　小幡　功史「多孔質シリコンの発光特性に及ぼす表面終端の効果」
M　手塚　明「多孔質シリコンの表面構造とSTM発光特性」
M　嶋　　教子「Si/Si1-xGex系超格子構造のフォトルミネッセンス特性」
M　山村耕一郎「単電子デバイスに関する基礎動作解析」

1995年度
M　高橋　正愼「バナジウム酸化物の金属-絶縁体相転移機構に関する光電子分光法による研究」
M　橋本　介臣「超高真空型走査型トンネル顕微鏡の試作」
M　山下　三富「Si/Ge半導体の原子スケール制御エピタキシー」

1994年度
M　石田　雅裕「Siのサブ原子層単位成長エピタキシー技術」
M　大和　哲也「走査型トンネル顕微鏡の試作とSi清浄化表面の原子的平坦性の評価」
M　小泉　友弘「多孔質Siのホトルミネッセンス特性に及ぼす酸素終端の効果の解析」

1993年度
M　伴　　拓弥「光電子分光法による多孔質シリコンの発光機構に関する研究」

1992年度
M　白濱　正尋「ジシランを用いたSiの原子層エピタキシー」
M　皆川　康幸「SOR光を用いたc-BN およびTiO2の光電子放出特性」